时间：2023年2月17日14:00
地址：理学楼 717房间
报告简介: 二维铁磁体因其在自旋电子学器件上的重要应用而备受关注。从器件应用的角度，亟待寻找更多实验上易于制备、具有高居里温度的铁磁体，并基于此进一步调控磁性和构建器件。我们从过渡金属化合物层状材料出发，通过计算筛选与等电子元素替换，设计出理论居里温度高达500 K的两种二维磁性半导体CrSCl和CrSeBr，并组装出具有磁光调控特性的层间异质结。通过调控组分和几何构型，我们获得了具有丰富的电子结构和磁学性质的一系列二维三元金属化合物（MGeTe, M=Cr, Mn, Fe), 成功设计出室温居里温度的金属铁磁体。进一步，我们利用半导体衬底的近邻效应和Cr/I原子自插层两种办法调控CrI3双层磁体的磁耦合特性。最后，我们结合近期进展，对于寻找新型低维磁体的未来方向逐一展望。
报告人简介：
赵纪军教授，大连理工大学bevictor伟德国际经理，三束材料改性教育部重点实验室主任，国务院学位委员会学科评议组成员。主要研究领域为低维凝聚态物理、计算材料学。发表SCI论文700余篇，总引用27000多次，H因子79。获国家自然科学二等奖1项、省部级科技奖7项，入选****领军人才、****特聘教授、全球顶尖科学家终身影响力榜单前2万名。
